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本发明涉及一种LED制作工艺，特别是LED封胶工艺。 ?背景技术：目前在LED封装过程中荧光胶多采用环氧树脂 ，外封胶也为环氧树脂 ，二者物质 特性相同在封装中很少出现界面分层的现象，但环氧树脂散热性能较差 ，光衰较大 ，现较多 封装企业用硅胶来做荧光粉配胶，改善了灯珠的散热环境 ，大大提高了 LED的光衰性能 ，但 与作为外封胶的环氧树脂物质特性不同，在封装环节时荧光胶与外封胶之间会出现有界面 分层的不良现象 。 发明内容：本发明的目的就是为了避免背景技术中的不足之处 ，提供一种LED封胶工艺 。为达到上述目的 ，本发明采用如下技术方案LED封胶工艺，包括以下步骤： a、在碗杯内LED芯片表面涂覆荧光硅胶，然后放入烤箱进行分段烘烤 ，首先在 65°C 75°C的温度下烘烤35 Min 45Min ，然后将烤箱温度调整至145°C 155°C，烘烤 55MirT65Min ； b 、烘烤结束后 ，荧光硅胶固化并将LED芯片封装在碗杯内 ，取出并将该半成品置入等 离子清洗机，设定清洗压力为25Pa 35Pa ，功率为47CT490W ，氢气流量为4 mL/Min 6mL/ Min，氩气流量为94mL/MirT96mL/Min ，清洗时间为470 s 490s ； C 、取出经等离子清洗后的半成品 ，然后在荧光硅胶外通过环氧树脂封装。本发明与背景技术相比，具有提高了产品光衰性能 ，同时解决了荧光硅胶与外封 环氧树脂胶出现界面分层现象 。 具体实施例方式实施例LED封胶工艺 ，其包括以下步骤： a、在碗杯内LED芯片表面涂覆荧光硅胶，然后放入烤箱进行分段烘烤，首先在 65°C 75°C的温度下烘烤35 Min 45Min ，然后将烤箱温度调整至145°C 155°C ，烘烤 55MirT65Min ； b 、烘烤结束后，荧光硅胶固化并将LED芯片封装在碗杯内 ，取出并将该半成品置入等 离子清洗机 ，设定清洗压力为25Pa 35Pa，功率为47CT490W ，氢气流量为4 mL/Min 6mL/ Min ，氩气流量为94mL/MirT96mL/Min，清洗时间为470 s 490s 。
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